Отправить сообщение
Главная страница /Продукция/Транзистор силы Mosfet/А2Ф200М3Ф-1ФГ256И

А2Ф200М3Ф-1ФГ256И

А2Ф200М3Ф-1ФГ256И
Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату
Характеристики
Характеристики
Категория: Интегральные схемаы (ICs) Врезанный Система на обломоке (SoC)
Номер базовой продукции: A2F200
Статус продукта: Активный
Peripherals: DMA, POR, WDT
Основные атрибуты: ProASIC®3 FPGA, 200K ворота, 4608 D-Сальто-темповых сальто
Серия: SmartFusion®
Пакет: Поднос
Мфр: Технология микрочипов
Пакет изделий поставщика: 256-FPBGA (17x17)
Взаимодействие: EBI/EMI, локальные сети, я ² c, SPI, UART/USART
Операционная температура: -40°C | 100°C (TJ)
архитектура: MCU, FPGA
Пакет / чемодан: 256-LBGA
Количество вводов/выводов: MCU - 25, FPGA - 66
Размер RAM: 64kB
Скорость: 100 МГц
Процессор ядра: ARM® Cortex®-M3
Внезапный размер: 256KB
Основная информация
Оплата и доставка Условия
Запасы: В наличии
Способ перевозки: LCL, AIR, FCL, Express
Описание: IC SOC CORTEX-M3 100MHZ 256FBGA
Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Система ARM® Cortex®-M3 на обломоке (SOC) IC SmartFusion® ProASIC®3 FPGA, 200K воротах, 4608 D-Сальто-темповых сальто 100MHz 256-FPBGA (17x17)
тег:

Транзистор силы Mosfet

Транзистор наивысшей мощности

транзистор mosfet канала n

Порекомендованные продукты
Свяжись с нами
Контактное лицо : Jack
Телефон : +8618098974141
Осталось символов(20/3000)
Связаться
2A2003, здание 2, сад Baohuju, бульвар 200 Huaqing, община Qinghu, улица Longhua, район Longhua, Шэньчжэнь
hegaochen35@gmail.com
+8618098974141
около
Компании Наша фабрика Контроль качества Контакты
Продукция
Обломок интегральной схемаыФлэш-память ICВодитель приведенный IC Все категории
Написать нам
Сообщите нам свое требование. Мы свяжем с вами лучшие товары.
Карта сайта │ Мобильный сайт │ политика конфиденциальности
Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2023 - 2024 icscircuit.com. All Rights Reserved.