Name: канал держателя IRFR024NTRPBF d Пак n транзистора наивысшей мощности 17a 55v 45w поверхностный
Brand: IOR
SKU: IRFR024NTRPBF
Rating: 4.5 (148 reviews)

Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату

Характеристики

Номер модели:: IRFR024NTRPBF

Тип: интегральная схемаа

Фирменное наименование: Original brand

Тип пакета: SMD

Порт: Шэньчжэнь или Гонконг

Время выполнения: дни 1-3working

Высокий свет:

транзистор наивысшей мощности 55v

транзистор наивысшей мощности 45w

IRFR024NTRPBF

Основная информация

Место происхождения: Первоначальная фабрика

Фирменное наименование: IOR

Сертификация: ROHS COMPLIANT

Номер модели: IRFR024NTRPBF

Оплата и доставка Условия

Упаковывая детали: Стандартная упаковка

Время доставки: В пределах 3days

Условия оплаты: T/T заранее, западное соединение, Xtransfer

Поставка способности: 1000

Галерея

канал держателя IRFR024NTRPBF d Пак n транзистора наивысшей мощности 17a 55v 45w поверхностный

Характер продукции

ПОВЕРХНОСТНЫЙ КАНАЛ 55V 17A 45W D- ПАК N- ТРАНЗИСТОРА НАИВЫСШЕЙ МОЩНОСТИ IRFR024NTRPBF ДЕРЖАТЕЛЯ

Детальный характер продукции

Тип FET:

N-канал

Рабочая температура:

-55°C | 175°C

Уровень чувствительности влаги (MSL):

1 (неограниченный)

Неэтилированное состояние/состояние RoHS:

Неэтилированный/RoHS уступчивый

Высокий свет:

транзисторы mosfet наивысшей мощности

транзистор mosfet канала n

Держатель RoHS N-канала 55V 17A 45W IRFR024NTRPBF D-PAK поверхностный уступчивое

Особенность

l ультра низкое На-сопротивление

l держатель поверхности (IRFR024N)

l прямое руководство (IRFU024N)

l выдвинул технологический прочесс

l быстрое переключение

l полно расклассифицированная лавина

Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	55V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	17A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	10V
Rds на (Макс) @ id, Vgs	75 mOhm @ 10A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @	4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Макс)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	370pF @ 25V
Особенность FET	-
Диссипация силы (Макс)	45W (Tc)
Рабочая температура	-55°C \| 175°C (TJ)
Устанавливать тип	Поверхностный держатель

Список других электронных блоков в запасе
TC7WU04F	ТОШИБА	MC78L15ACDR2	НА
LMV822AIDT	STM	ADP3050ARZ-3.3	ADI
SPA21N50C3	INFINEON	SESD9L5V	SEMITECH
PM50B5LA060#300G	MITSUBISH	PM5315-BI	PMC
HI4P0546-5Z	INTERSI	MMSZ5243B	PANJIT
74HCT153D		DS9034PCX+	ДАЛЛАС
LQH55PN220MR0L	MURATA	AH293-PL	ANACHIP
2SK3543	ТОШИБА	ADV202BBCZ-150	ADI
THS4051CD	TI	554AA000124BGR	SILCON
LTC3441EDE#TRPBF	LT	XC9536XL-10PC44C	XILINX
RN2405 (TE85L	ТОШИБА	TLV1018-15YDCR	TI
VS-60EPS12-M3	VISHAY	BYT230PIV400	ST
WT7530-TO5QWT-OA	N/A	AG203-86	WJ/TRIQUINT
PI6C557-05LEX	PERICOM	MC74VHC1G126	НА
82CNQ030APBF	Инфракрасн	LMX4169ALQXN	NS
MAX3080EESD+T	СЕНТЕНЦИЯ	LM1117DTX-1.8	NS
IDT89H48H12G2ZCBLG	IDT	B360A-13-F	ДИОДЫ
ATMLU826	ATMEL/ADESTO	APL5501-30Because-TRL	ANPEC
ADS774JP	BB	88F6820-A0-BRT2C120	MARVELL
3352E-1-103IF	BOURNS	74F5074B

тег:

Контактное лицо :	Jack
Телефон :	+8618098974141

канал держателя IRFR024NTRPBF d Пак n транзистора наивысшей мощности 17a 55v 45w поверхностный

транзистор наивысшей мощности 55v

транзистор наивысшей мощности 45w

IRFR024NTRPBF

транзисторы mosfet наивысшей мощности

транзистор mosfet канала n

Транзистор силы Mosfet

Транзистор наивысшей мощности

транзистор mosfet канала n

транзистор силы TO-247-3 Mosfet 600v 16a IRFPC60PBF через отверстие

150mhz - транзисторы M68702h Mosfet силы 175mhz RF для радио Fm мобильного

Канал IRFP4227PBF n транзистора силы Mosfet DC IRFP4227 К -247AC

транзисторы Mosfet наивысшей мощности 1200v 50a/тиристор CLA50E1200HB

Комплект PBSS4160T транзистора силы PNP Mosfet NPN низкий Vcesat

3 терминальный положительный транзистор Mosfet регуляторов напряжения тока 5V KIA7805AF

Интегрированная серия fet канавы обломока SUD50P06-15L-E3 транзистора силы Mosfet

держатель IRF640NSTRLPBF транзистора Mosfet канала 200v n поверхностный