держатель IRF640NSTRLPBF транзистора Mosfet канала 200v n поверхностный

Держатель D2PAK поверхности 150W транзистора 200V 18A Mosfet N-канала IRF640NSTRLPBF (Tc) (Tc)

? Предварительный технологический прочесс?

Динамическая оценка dv/dt? рабочая температура 175°C?

Быстрое переключение? Полно расклассифицированная лавина?

Легкость проходить параллельно?

Простые требования к привода

Описание

MOSFETs силы пятого поколения HEXFET® от международного выпрямителя тока используют предварительные методы обработки достигнуть весьма - низкого на-сопротивления в зону кремния. Это преимущество, совмещенное с быстрой переключая скоростью и усиливанным дизайном прибора которой MOSFETs силы HEXFET известный для, обеспечивает дизайнера с весьма эффективным и надежным прибором для пользы в большом разнообразии применений. Пакет TO-220 универсально предпочтен для всех коммерчески-промышленных применений на уровнях диссипации силы до приблизительно 50 ватт. Низкое термальное сопротивление и низкая цена пакета TO-220 вносят вклад в свое широкое принятие в течении индустрии. D2Pak поверхностный пакет силы держателя способный на приспосабливать, который нужно умереть размеры до HEX-4. Оно обеспечивает возможность самой высокой силы и предельно низкое onresistance в любом существующем поверхностном пакете держателя. D2Pak соответствующее для сильнотоковых применений из-за своего низкого внутреннего сопротивления соединения и может рассеять до 2.0W в типичном поверхностном применении держателя. Версия через-отверстия (IRF640NL) доступна для lowprofile применения.

Изготовитель	Технологии Infineon
Серия	HEXFET®
Упаковка	Лента & вьюрок (TR)
Состояние части	Активный
Тип FET	N-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	200V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	18A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	10V
Id Vgs (th) (Макс) @	4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (Макс)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	1160pF @ 25V
Особенность FET	-
Диссипация силы (Макс)	150W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Рабочая температура	-55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип	Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика	D2PAK
Пакет/случай	TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB