Name: Интегрированная серия fet канавы обломока SUD50P06-15L-E3 транзистора силы Mosfet
Brand: VISHAY
SKU: SUD50P06-15L-E3
Rating: 4.9 (138 reviews)

Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату

Характеристики

Номер модели: SUD50P06-15L-E3

Тип: интегральная схемаа

Место происхождения: Первоначальный изготовитель

D/C: Newst

Порт: Шэньчжэнь или Гонконг

Время выполнения: дни 1-3Working

Высокий свет:

Интегрированный транзистор силы Mosfet

Обломок транзистора силы Mosfet

SUD50P06-15L-E3

Основная информация

Место происхождения: Первоначальная фабрика

Фирменное наименование: VISHAY

Сертификация: ROHS

Номер модели: SUD50P06-15L-E3

Оплата и доставка Условия

Упаковывая детали: Стандартная упаковка

Время доставки: В пределах 3days

Условия оплаты: T/T заранее, западное соединение, Xtransfer

Поставка способности: 1000

Галерея

Интегрированная серия fet канавы обломока SUD50P06-15L-E3 транзистора силы Mosfet

Характер продукции

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМАА IC P-CH ОТКАЛЫВАЕТ СЕРИЮ FET КАНАВЫ SUD50P06-15L-E3 TO252

Товары подготовляют:	Совершенно новый	Состояние части:	Активный
Неэтилированный/Rohs:	Жалоба	Функция:	Mosfet
Устанавливать тип:	Поверхностный держатель	Пакет:	TO-252
Высокий свет:	транзистор mosfet канала n , транзистор канала n

Серия MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET обломока IC интегральной схемаы SUD50P06-15L-E3

P-канал 60 v (D-S), MOSFET 175 °C

ОСОБЕННОСТИ
1, MOSFET силы TrenchFET®
2, температура соединения 175 °C
3, уступчивый к RoHS директивному 2002/95/EC

Изготовитель	Vishay Siliconix
Серия	TrenchFET®
Упаковка	Лента & вьюрок (TR)
Состояние части	Активный
Тип FET	P-канал
Технология	MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss)	60V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C	50A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше)	4.5V, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @	3V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs	165nC @ 10V
Vgs (Макс)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds	4950pF @ 25V
Особенность FET	-
Диссипация силы (Макс)	3W (животики), 136W (Tc)
Rds на (Макс) @ id, Vgs	15 mOhm @ 17A, 10V
Рабочая температура	-55°C \| 175°C (TJ)
Устанавливать тип	Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика	TO-252, (D-Пак)
Пакет/случай	TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63

Список других электронных блоков в запасе
НОМЕР ДЕТАЛИ	MFG/BRAND	НОМЕР ДЕТАЛИ	MFG/BRAND
9LPRS133BKLFT	IDT	ISL62882HRTZ-T	INTERSIL
1ZB18	ТОШИБА	S1D13513B00B200	EPSON
W2F15C1038AT1A	AVX	MABACT0071	MA/COM
UP7719ASU8	МИКРО-	CRG05 (TE85L, Q)	ТОШИБА
MSN3010-472	COILCRAFT	PCI2050IPDV	TI
HA2-5033/883	ХЕРРИС	MP4013	ТОШИБА
SLQ2592	UDMHGT	LT1017CS8	ЛИНЕЙНЫЙ
PACDN010QS	CMD	FBMH2012HM121-T	TAIYO
APL431AAC-TRG	ANPEC	MSP3415G-B8-V3	MICRONAS
ADM4850ARZ	ADI	LTC5505-2ES5#TRPBF	LT
23Z104SMNLT	ИМП УЛЬС	LPR550ALTR	ST
TMX320DM8148CCYE2	TI	TLE4269GL	СИМЕНС
TJA1050	PHLIPH	PS8710BTQFN24GTR2-A1	ПАРАД
LM2674MX-ADJ	NSC	CXD3117AR	SONY
BCM56340AOKFSBG	BRADCOM	ADS1000A0QDBVRQ1	TI
TPS79901DRVT	TI	TC74VHC273FT	ТОШИБА
TC358723XBG	ТОШИБА	MCM20027IBBL	MOTOROLA
STI5202DUD	ST	SC2677TSTR	SEMTECH
ST16C552CJ	EXAR	RT9181CB	RICHTEK
VIPER53-DIP-E	ST	DS2482S-100+T$R	СЕНТЕНЦИЯ

тег:

Контактное лицо :	Jack
Телефон :	+8618098974141

Интегрированная серия fet канавы обломока SUD50P06-15L-E3 транзистора силы Mosfet

Интегрированный транзистор силы Mosfet

Обломок транзистора силы Mosfet

SUD50P06-15L-E3

транзистор mosfet канала n

транзистор канала n

Транзистор силы Mosfet

Транзистор наивысшей мощности

транзистор mosfet канала n

транзистор силы TO-247-3 Mosfet 600v 16a IRFPC60PBF через отверстие

150mhz - транзисторы M68702h Mosfet силы 175mhz RF для радио Fm мобильного

Канал IRFP4227PBF n транзистора силы Mosfet DC IRFP4227 К -247AC

транзисторы Mosfet наивысшей мощности 1200v 50a/тиристор CLA50E1200HB

Комплект PBSS4160T транзистора силы PNP Mosfet NPN низкий Vcesat

3 терминальный положительный транзистор Mosfet регуляторов напряжения тока 5V KIA7805AF

Интегрированная серия fet канавы обломока SUD50P06-15L-E3 транзистора силы Mosfet

держатель IRF640NSTRLPBF транзистора Mosfet канала 200v n поверхностный