Отправить сообщение
Главная страница /Продукция/Транзистор силы Mosfet/Одиночный высоковольтный DC SIHB22N60E-E3 ROHS транзистора силы Mosfet

Одиночный высоковольтный DC SIHB22N60E-E3 ROHS транзистора силы Mosfet

Количество минимального заказа: 10 PCS
MOQ
negotiate
Цена
Одиночный высоковольтный DC SIHB22N60E-E3 ROHS транзистора силы Mosfet
Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату
Характеристики
Характеристики
Номер детали изготовителя: SIHB22N60E-E3
Фирменное наименование: original
Тип: интегральная схемаа
Место происхождения: Первоначальный изготовитель
DC: Lastest новое
Время выполнения: дни 1-3Working
Высокий свет:

Одиночный транзистор силы Mosfet

,

Транзистор силы ROHS Mosfet

,

Высоковольтный DC транзистора Mosfet
Основная информация
Место происхождения: Первоначальная фабрика
Фирменное наименование: VISHAY
Сертификация: ROHS
Номер модели: SIHB22N60E-E3
Оплата и доставка Условия
Упаковывая детали: Стандартная упаковка
Время доставки: В пределах 3days
Условия оплаты: T/T заранее, западное соединение, Xtransfer
Поставка способности: 1000
Характер продукции

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ОДИНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР СИЛЫ SIHB22N60E MOSFET - ПАКЕТ D2PAK E3 600V 21A

 

Тип FET: N-канал Рабочая температура: -55°C | 150°C (TJ)
Пакет: TO263-3 D2PAK
Высокий свет:

транзистор mosfet канала n

,

транзистор канала n
 

 

 

Высоковольтный одиночный транзистор силы SIHB22N60E Mosfet - пакет D2PAK E3 600V 21A

 

MOSFETS N-КАНАЛА MSL 1 ОДИНОЧНЫЕ

Технические данные продукта

Изготовитель Vishay Siliconix  
Серия -  
Упаковка Трубка  
Состояние части Активный  
Тип FET N-канал  
Технология MOSFET (металлическая окись)  
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 600V  
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 21A (Tc)  
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 10V  
Rds на (Макс) @ id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V  
Id Vgs (th) (Макс) @ 4V @ 250µA  
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 86nC @ 10V  
Vgs (Макс) ±30V  
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1920pF @ 100V  
Особенность FET -  
Диссипация силы (Макс) 227W (Tc)  
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)  
Устанавливать тип Поверхностный держатель  
Пакет прибора поставщика D2PAK  
Пакет/случай TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB

 

OPA2107AU/2K5 TI PTH05050WAZ TI
THCV231-3L/CD TI TMS320DM8168CCYG2 TI
THC63LVD1024-1LTN TI PTH08T231WAD TI
TMS320F28035PNT TI TPS65920A2ZCHR TI
INA126PA TI LMH0344SQ/NOPB TI
TPS73533DRBR TI AD5412AREZ-REEL7 TI
TPS54319RTER TI ADS1241E/1K TI
IC12715001 TI TL16C552AFNR TI
THCV235-TB TI PGA204AU/1K TI
THCV236-ZY TI ADS8505IDWR TI
ADS8326IDGKR TI TMS320LF2407APGEA TI
ADS7816U/2K5 TI AM3703CUSD100 TI
DAC7558IRHBR TI TMS320DM8148CCYEA0 TI
ADSP-21489KSWZ-4B TI LMZ23610TZE/NOPB TI
TPS75801KTTR TI TPS2115ADRBR TI
тег:

Транзистор силы Mosfet

Транзистор наивысшей мощности

транзистор mosfet канала n

Порекомендованные продукты
Свяжись с нами
Контактное лицо : Jack
Телефон : +8618098974141
Осталось символов(20/3000)
Связаться
2A2003, здание 2, сад Baohuju, бульвар 200 Huaqing, община Qinghu, улица Longhua, район Longhua, Шэньчжэнь
hegaochen35@gmail.com
+8618098974141
около
Компании Наша фабрика Контроль качества Контакты
Продукция
Обломок интегральной схемаыФлэш-память ICВодитель приведенный IC Все категории
Написать нам
Сообщите нам свое требование. Мы свяжем с вами лучшие товары.
Карта сайта │ Мобильный сайт │ политика конфиденциальности
Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2023 - 2024 icscircuit.com. All Rights Reserved.