Отправить сообщение
Главная страница /Продукция/Поверхностный генератор держателя/НБ3Н200СДР2Г

НБ3Н200СДР2Г

НБ3Н200СДР2Г
Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату
Характеристики
Характеристики
Категория: Интегрированные схемы (IC) Часы / Время Часовые буферы, водители
Соотношение - Вход:Выход: 1:1
Тип: Буфер/водитель
Статус продукта: Активный
Тип установки: Поверхностный монтаж
Пакет: Лента и катушка (TR)
Дифференциал - Вход:Выход: Да/Да
Серия: -
Ввод: LVCMOS, LVDS
Пакет изделий поставщика: 8-SOIC
Мфр: на полу
Частота - максимум: 200 МГц
Напряжение - питание: 3V ~ 3,6V
Пакет / чемодан: 8-SOIC (0,154", 3,90 мм ширины)
Выпуск: LVCMOS, LVDS
Операционная температура: -40°C ~ 85°C
Количество схем: 1
Номер базовой продукции: NB3N200
Основная информация
Оплата и доставка Условия
Запасы: В наличии
Способ перевозки: LCL, AIR, FCL, Express
Описание: IC CLK BUFFER 1:1 200 МГц 8SOIC
Условия оплаты: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Часовой буфер/драйвер IC 1:1 200 МГц 8-SOIC (0,154", 3,90 мм ширины)
тег:

Поверхностный генератор держателя

Интегральная схемаа генератора

Обломок IC генератора

Порекомендованные продукты
Свяжись с нами
Контактное лицо : Jack
Телефон : +8618098974141
Осталось символов(20/3000)
Связаться
2A2003, здание 2, сад Baohuju, бульвар 200 Huaqing, община Qinghu, улица Longhua, район Longhua, Шэньчжэнь
hegaochen35@gmail.com
+8618098974141
около
Компании Наша фабрика Контроль качества Контакты
Продукция
Обломок интегральной схемаыФлэш-память ICВодитель приведенный IC Все категории
Написать нам
Сообщите нам свое требование. Мы свяжем с вами лучшие товары.
Карта сайта │ Мобильный сайт │ политика конфиденциальности
Китай хороший Качество Обломок интегральной схемаы поставщик. © 2023 - 2024 icscircuit.com. All Rights Reserved.